一、概述

采用了的微處理器和的EchoDiscovery回波處理技術(shù)，導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)可以應(yīng)用于各種復(fù)雜工況。 多種過程連接方式及探測(cè)組件的型式，適于各種復(fù)雜工況及應(yīng)用場(chǎng)合。如：高溫、高壓及小介電常數(shù)介質(zhì)等。

二、測(cè)量原理

導(dǎo)波雷達(dá)發(fā)出的高頻微波脈沖沿著探測(cè)組件（鋼纜或鋼棒）傳播，遇到被測(cè)介質(zhì)，由于介電常數(shù)突變，引起反射，一部分脈沖能量被反射回來(lái)。發(fā)射脈沖與反射脈沖的時(shí)間間隔與被測(cè)介質(zhì)的距離成正比。

容器中存在兩種不同介質(zhì)，當(dāng)上面一層的介質(zhì)介電常數(shù)較小，而下面的介質(zhì)介電常數(shù)較大時(shí)，高頻微脈沖沿著探測(cè)組件傳播遇到上層介質(zhì)時(shí)，由于其介電常數(shù)較小，因而有極少的能量被這一層介面反射，而大部分能量穿透上層介質(zhì)繼續(xù)向下傳播，遇到兩層的介面時(shí)，由于下層介質(zhì)的介電常數(shù)較大，因而會(huì)有較大的能量被反射回來(lái)。因而導(dǎo)波雷達(dá)是可以測(cè)量?jī)煞N不同介質(zhì)的介面，其測(cè)量條件是上層介質(zhì)不導(dǎo)電或其介電常數(shù)比下層介質(zhì)介電常數(shù)小10以上。

三、技術(shù)參數(shù)

l  大量程： 30m

l  測(cè)量精度： ±10mm

l  天線結(jié)構(gòu)： 不銹鋼316L喇叭/PTFE振子

l  過程連接：  法蘭、螺紋

l  過程溫度： -40～150 °C

l  過程壓力： -0.1-4MPa（法蘭）

l  防護(hù)等級(jí)：IP67

l  防爆等級(jí)：ExiaIIC T6

l  信號(hào)輸出： (4～20)mA/HART（兩線/四線）

l  供電電源： 兩線制（DC24V)

l                     四線制(DC24V/AC220V)

l  應(yīng)  用：液體，特別適合介電常數(shù)較小的液體

l             適用于高溫高壓復(fù)雜過程條件

四、儀表選型