規(guī)格型號IGBT模塊FZ1200R12KL4C

本公司主要經(jīng)營：西門子S72/3/400、S71200、S71500全系列，觸摸屏6AV，DP接頭，6XV總線電纜，通訊模塊6GK系列，SITOP電源6EP系列。變頻調(diào)速器MM4,6RA70,6RA80系列及各種附件板子6SE7090，C98043等系列，6SE70，MM4系列及變頻調(diào)速器配件。數(shù)控伺服6SN,6FC,S120,G120。產(chǎn)品全新原裝，質(zhì)保一年。

IGBT模塊FZ1200R12KL4C40:在不改變硬件配置的情況下，能用SM321-1CH20代替SM321-1CH80嗎？AI/AO擴展模塊：當(dāng)輸入/輸出信號為模擬量（如電壓、溫度等）需使用AI/AO擴展模塊；。 83：CP342-5能否用于PROFIBUSFMS協(xié)議通訊？ CP342-5支持PROFIBUSDP協(xié)議，不能用于PROFIBUSFMS協(xié)議通訊，同樣CP343-5只支持PROFIBUSFMS協(xié)議，不能用于PROFIBUSDP協(xié)議通訊，而CP342-5和CP343-5都支持PROFIBUSFDL的鏈接方式； 84：為什么CP342-5FO無法建立通訊？如何配置？ CP342-5FO不支持3MB，6MB的通訊速率，如果您購買的是5.1版本的CP342-5，而STEP7中沒有V5.1版的CP342-5時,則可以插入一個V5.0版的CP342-5模塊，功能不受影響。

IGBT 是 MOSFET 與雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有 MOSFET 易驅(qū)動的特點，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點。其頻率特性介于 MOSFET 與功率晶體管之間，可正常工作于幾十 kHz 頻率范圍內(nèi)，故在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。  

    IGBT 是電壓控制型器件，在它的柵極 - 發(fā)射極間施加十幾 V 的直流電壓，只有 μA 級的漏電流流過，基本上不消耗功率。但 IGBT 的柵極 - 發(fā)射極間存在著較大的寄生電容（幾千至上萬 pF ），在驅(qū)動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數(shù) A 的充放電電流，才能滿足開通和關(guān)斷的動態(tài)要求，這使得它的驅(qū)動電路也必須輸出一定的峰值電流。  
FS50R12KE3
FS450R17KE3 
FS450R17KE3
FS450R17KE3
FS450R12KE3
FS450R12KE3
FS3L400R12PT4-B26
FS35R12KEG
FS30R06XL4
FS300R17KE3
FS300R12KE4
FS300R12KE3
FS300R12KE3
FS225R12KE3
FS20R06XL4
FS200R06KE3
FS15R06XL4
FS150R12KT4
FS150R12KT3
FS150R12KT3
FS150R12KE3G
FS150R12KE3
FS10R06XL4
FS100R12KT4G/KE3/KT3
FS100R12KT4G

IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動，各種驅(qū)動保護電路，高性能IGBT芯片，*封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線電感，進步系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開發(fā)*第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱門。

IGBT模塊FZ1200R12KL4C在應(yīng)用模板中有些模板毋需設(shè)置便可直接使用，如開關(guān)量I/O模板；而一些多用途模板以及功能模板則需要對模板進行準(zhǔn)確的設(shè)置。模板的設(shè)定方式包括硬件設(shè)定和軟件設(shè)定兩部分，需要聯(lián)合使用才能使模板正常工作。 感性負(fù)載設(shè)計請參考《S7-200可編程控制器系統(tǒng)手冊》第3章S7-200的安裝->感性負(fù)載設(shè)計指南。56：將*個FM352-5的輸出與第二個FM352-5的輸入直接相連時，有哪些注意事項？ 65：如果對于4-20mA模擬量輸入模塊來說，小于4mA后轉(zhuǎn)換的數(shù)字量是? 如果小于4ma，那么將會是輸出負(fù)值，例如-1對應(yīng)的是3.9995mA,而1.185mA時，這個數(shù)值是-4864(10進制)但是如果小于1.185mA,如果禁止斷線檢測，這個值是8000（16進制）如果有斷線檢測，會變成7FFF（16進制）。

IGBT 的過流保護電路可分為 2 類：一類是低倍數(shù)的（ 1.2 ～ 1.5 倍）的過載保護；一類是高倍數(shù)（可達(dá) 8 ～ 10 倍）的短路保護。  

     對于過載保護不必快速響應(yīng)，可采用集中式保護，即檢測輸入端或直流環(huán)節(jié)的電流，當(dāng)此電流過設(shè)定值后比較器翻轉(zhuǎn)，封鎖所有 IGBT 驅(qū)動器的輸入脈沖，使輸出電流降為零。這種過載電流保護，一旦動作后，要通過復(fù)位才能恢復(fù)正常工作。  

    IGBT 能承受很短時間的短路電流，能承受短路電流的時間與該 IGBT 的導(dǎo)通飽和壓降有關(guān)，隨著飽和導(dǎo)通壓降的增加而延長。如飽和壓降小于 2V 的 IGBT 允許承受的短路時間小于 5μs ，而飽和壓降 3V 的 IGBT 允許承受的短路時間可達(dá) 15μs ， 4 ～ 5V 時可達(dá) 30μs 以上。存在以上關(guān)系是由于隨著飽和導(dǎo)通壓降的降低， IGBT 的阻抗也降低，短路電流同時增大，短路時的功耗隨著電流的平方加大，造成承受短路的時間迅速減小。  

GD150FFL120C6S
GD10PJK120L1S
GD10PIK120C5S
FZ900R12KF5
FZ900R12KF
FZ900R12KE4
FZ900R12KE4
FZ800R17KF4
FZ800R16KF4
FZ800R12KS4
FZ800R12KL4C
FZ800R12KF4
FZ800R12KE3
FZ800R12KE3
FZ600R17KE4
FZ600R17KE4
FZ600R17KE3
FZ600R12KS4
FZ900R12KS4
FZ900R12KS4
FZ600R12KS4 
FZ600R12KS4

IGBT模塊FZ1200R12KL4C要求：使用組態(tài)包FM353V2.1或組態(tài)包FM354V2.1以及STEP7版本V3.1或更高版本。 4．除CPU31xC以外的CPU供電示意圖 圖2-8所示為使用一個三相五線制電源裝配一臺S7-300（不適用于CPU31xC）。3．開關(guān)量輸入模塊：SM321；可進行32路開關(guān)量的檢測，輸入信號為24V有效，若輸入為無源觸點，可利用電源模塊提供24V驅(qū)動信號。SFC1"READ_CLK"讀出CPU時鐘。

  IGBT 的驅(qū)動電路必須具備 2 個功能：一是實現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動 IGBT 柵極的電隔離；二是提供合適的柵極驅(qū)動脈沖。實現(xiàn)電隔離可采用脈沖變壓器、微分變壓器及光電耦合器。  

  圖 3 為采用光耦合器等分立元器件構(gòu)成的 IGBT 驅(qū)動電路。當(dāng)輸入控制信號時，光耦 VLC 導(dǎo)通，晶體管 V2 截止， V3 導(dǎo)通輸出＋ 15V 驅(qū)動電壓。當(dāng)輸入控制信號為零時， VLC 截止， V2 、 V4 導(dǎo)通，輸出－ 10V 電壓。＋ 15V 和－ 10V 電源需靠近驅(qū)動電路，驅(qū)動電路輸出端及電源地端至 IGBT 柵極和發(fā)射極的引線應(yīng)采用雙絞線，長度*不過 0.5m 。  

實現(xiàn)慢降柵壓的電路  
正常工作時，因故障檢測二極管 VD1 的導(dǎo)通，將 a 點的電壓鉗位在穩(wěn)壓二極管 VZ1 的擊穿電壓以下，晶體管 VT1 始終保持截止?fàn)顟B(tài)。 V1 通過驅(qū)動電阻 Rg 正常開通和關(guān)斷。電容 C2 為硬開關(guān)應(yīng)用場合提供一很小的延時，使得 V1 開通時 uce 有一定的時間從高電壓降到通態(tài)壓降，而不使保護電路動作。  當(dāng)電路發(fā)生過流和短路故障時， V1 上的 uce 上升， a 點電壓隨之上升，到一定值時， VZ1 擊穿， VT1 開通， b 點電壓下降，電容 C1 通過電阻 R1 充電，電容電壓從零開始上升，當(dāng)電容電壓上升到約 1.4V 時，晶體管 VT2 開通，柵極電壓 uge 隨電容電壓的上升而下降，通過調(diào)節(jié) C1 的數(shù)值，可控制電容的充電速度，進而控制 uge 的下降速度；當(dāng)電容電壓上升到穩(wěn)壓二極管 VZ2 的擊穿電壓時， VZ2 擊穿， uge 被鉗位在一固定的數(shù)值上，慢降柵壓過程結(jié)束，同時驅(qū)動電路通過光耦輸出過流信號。如果在延時過程中，故障信號消失了，則 a 點電壓降低， VT1 恢復(fù)截止， C1 通過 R2 放電， d 點電壓升高， VT2 也恢復(fù)截止， uge 上升，電路恢復(fù)正常工作狀態(tài)

IGBT模塊FZ1200R12KL4C1）故障事件 3．工作存儲器（RAM) RAM集成在CPU中，不能被擴展。 78：STEP7以格式存儲POINTER參數(shù)類型？ STEP7以6個字節(jié)保存POINTER參數(shù)。另一個區(qū)別在于存儲卡

西門子IGBT6ES7590-5CA00-0AA0 ：

1-S2M/10N-1現(xiàn)貨

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