FAI 微光發(fā)射顯微鏡EMMI

價(jià)格
電議

型號(hào)
FAI

品牌
FAI

所在地
北京市 海淀區(qū)

更新時(shí)間
2024-11-08 14:56:45

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    FAI 微光發(fā)射顯微鏡（EMMI）用于檢測(cè)半導(dǎo)體內(nèi)部缺陷引起的微光發(fā)射或微熱發(fā)射來(lái)準(zhǔn)確定位半導(dǎo)體器件的失效位置。
    FAI 微光發(fā)射顯微鏡（EMMI）
    FAI Photo Emmission Microscope

    FAI 微光發(fā)射顯微鏡用于檢測(cè)半導(dǎo)體內(nèi)部缺陷引起的微光發(fā)射或微熱發(fā)射來(lái)準(zhǔn)確定位半導(dǎo)體器件的失效位置。通過(guò)使用不同類型的探測(cè)器，或者配置雙激光掃描系統(tǒng)（SIFT），以及配合相應(yīng)的檢測(cè)軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體元器件或芯片電路的微光、微熱、光激勵(lì)誘導(dǎo)失效測(cè)試等各種分析手段。

    FAI的Crystal Vision微光發(fā)射顯微鏡系統(tǒng)對(duì)所配置探測(cè)器的數(shù)量沒(méi)有限制，可選擇配置從一個(gè)到我們提供的所有型號(hào)的探測(cè)器和SIFT激光掃描頭。

    主要功能

    CCD探測(cè)器：波長(zhǎng)探測(cè)范圍 365nm 至 1190nm；帶電子半導(dǎo)體制冷器（TEC）的CCD探測(cè)器，可冷卻穩(wěn)定在 -40℃以下，無(wú)需使用危險(xiǎn)的液氮制冷劑；CCD解析度為1280x1024；像素暗電流<0.002 電子/秒；讀噪聲<7 個(gè)電子；連續(xù)收集信號(hào)時(shí)間從32毫秒至2小時(shí)。

    InGaAs探測(cè)器：波長(zhǎng)探測(cè)范圍 900nm – 1750nm；帶電子半導(dǎo)體制冷器（TEC）的InGaAs探測(cè)器，可冷卻穩(wěn)定在 -40℃以下，無(wú)需使用危險(xiǎn)的液氮制冷劑； InGaAs探測(cè)器分辨率為320x240，像素點(diǎn)尺寸為30 x 30um，更大的像素點(diǎn)面積可以收集更少的光子，探測(cè)靈敏度是普通640x480 InGaAs探測(cè)器的4倍；連續(xù)收集信號(hào)時(shí)間從1微秒到60分鐘；有效波段范圍內(nèi)量子效率（QE）為 80-85%；靈敏度 NEI <1x1010 ph/cm2/sec；量子效率>70 QE 在950-1700nm范圍內(nèi)。

    VisGaAs 探測(cè)器：波長(zhǎng)探測(cè)范圍 500nm – 1800nm，代表了新技術(shù)的VisGaAs 探測(cè)器覆蓋了可見(jiàn)光-紅外光波長(zhǎng)檢測(cè)范圍，一個(gè)探頭就可替代傳統(tǒng)的CCD和InGaAs 兩個(gè)探測(cè)器；半導(dǎo)體制冷器（TEC） ，可冷卻穩(wěn)定在 -40℃以下。

    SIFT(Stimulus Induced Fault Testing)雙波長(zhǎng)激光掃描頭：雙激光源654nm和1428nm；通過(guò)激光掃描芯片電路，導(dǎo)致失效位置電阻發(fā)生變化，通過(guò)檢測(cè)反饋信號(hào)的變化，從而檢測(cè)到失效位置；SIFT掃描不受物鏡視野限制，可以一次掃描完整整個(gè)檢測(cè)區(qū)域，無(wú)需圖像拼接，避免圖像扭曲；FAI的恒定電流附加反饋回路的技術(shù)，不但提高了檢測(cè)靈敏度，而且避免了檢測(cè)時(shí)電壓過(guò)高的風(fēng)險(xiǎn)；恒定焦距的定鏡掃描，可以將激光點(diǎn)停留在任意位置，用于確認(rèn)失效點(diǎn)。

    FMI熒光熱成像技術(shù)：FAI的微熱分析技術(shù)，熱分辨率是千分K(1/1000K)，可以室溫操作，無(wú)需使用危險(xiǎn)的液晶溶液。

    LC液晶熱成像技術(shù)：FAI的SLC（穩(wěn)定液晶）液晶熱成像技術(shù)的熱分辨率為百分K (1/100 K)。

    Moire云紋成像：從硅片背面采用“云紋圖像成像”的方式來(lái)檢測(cè)失效位置的微熱變化。

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